为电机驱动提供动力的功率mosfet -凯发app官网登录

功率mosfet是最常见的功率半导体，主要原因是因为其栅极驱动需要的功率小、以及快速的切换速度，使其成为电机驱动时最常用的功率半导体。本文将为您简介功率mosfet的技术特性，以及由安森美（onsemi）推出的ntbls1d5n10mc功率mosfet的产品特性。

mosfet与igbt各有优势

功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中的电压和频率，以及进行直流交流转换等功能，只要在拥有电流电压及相位转换的电路系统中，都会用到功率零部件。基本上，功率半导体大致可分为功率分立器件与功率集成电路二大类，其中，功率分立器件产品包括mosfet、二极管，及igbt，当中又以mosfet与igbt最为重要。

在低电流区域中，mosfet的导通电压低于igbt，但在高电流区域中，igbt的导通电压则低于mosfet，特别是在高温条件下，此现象特别明显。igbt通常以低于20khz的开关频率使用，因为其开关损耗大于单极mosfet。mosfet的优势在于可以适用高频领域，mosfet工作频率可以适用在从几百khz到几十mhz的射频产品，而igbt到达100khz几乎是最佳工作极限。

mosfet具有输入阻抗高、驱动功率低、开关速度快、无二次击穿、安全工作区宽、热稳定性好等优点，一般来说，mosfet适用在携带型的充电电池领域，或是移动装置中。至于igbt则适用在高电压、大功率的设备，如电机、汽车动力电池等。

n沟道功率mosfet具有较低的导通电阻和较小尺寸

随着mosfet及cmos技术持续的演进，自1960年起集成电路开始快速发展，这也是功率mosfet的设计得以实现的原因。功率mosfet的优点是其切换速度快，在低电压下的高效率，具备容易实施的并联技术、高带宽、坚固性、偏压简单、容易使用、也易于维修。功率mosfet可以应用在许多不同的领域中，包括大部份的电源供应器、直流-直流转换器、低电压电机控制器等，以及许多其他的应用。

功率mosfet按导电沟道可分为p沟道和n沟道，由于n沟道mosfet具有较低的导通电阻（r_ds(on)）和较小尺寸，n沟道mosfet在产品应用的选择性上超过了p沟道。同步整流器应用则几乎都是使用n沟道技术，这主要是因为n沟道的r_ds(on)小于p沟道，并且可通过在栅极上施加正电压导通。

功率mosfet多数是载流子器件，n沟道mosfet在导电过程中有电子流动，p沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就r_ds(on)而言，为得到相等的值，p沟道的管芯尺寸大约是n沟道的三倍，因此n沟道的管芯尺寸更小。

用于电机驱动的mosfet驱动器

在电机驱动系统中，栅极驱动器或“预驱动器”ic常与n沟道功率mosfet一起使用，以提供驱动电机所需的大电流。在选择驱动器ic、mosfet以及某些情况下用到的相关无源组件时，有很多需要考虑的设计因素。

想要为直流电机（无论是有刷电机，还是三相无刷电机）设计驱动器，便应从电机的特性来决定驱动器的设计细节，其中两个主要因素就是电机的工作电压和电流要求。在一般情况下，电机具有给定的额定电压和额定电流，但在实际工作中，这些数值可能与额定值不同。电机的实际速度取决于所施加的电压，电机所需的电流取决于所施加的扭矩。因此，驱动器设计不一定需要完全满足电机的规格。

为确保所选功率mosfet的额定值至少等于电机所需的电源电压和最大电流，甚至最好留有一定裕量，以确保能够发挥最佳的效能。通常mosfet的漏源电压额定值（v_ds）应至少比电源电压高20%。在某些情况下，尤其是在电流大、扭矩步长较大、电源控制不良的系统中，mosfet的额定电流必须足够高，才能提供电机所需的峰值电流。

此外，散热也是选择mosfet的重点，mosfet耗散功率会在漏源电阻r_ds(on)中产生热量，包括环境温度和mosfet散热在内的热条件，决定了可以耗散的功率，而最大允许功耗最终决定则基于mosfet的r_ds(on)值。此外，还需要考虑总栅极电荷（q_g），栅极电荷用于度量导通和关断mosfet所需的电荷量，较低q_g的mosfet更易于驱动，与具有较高q_g的mosfet相比，它可以以较低的栅极驱动电流进行更快的切换。

优异的功率mosfet特性满足应用需求

安森美在功率mosfet领域在业界居于领先地位，并针对不同的应用需求，推出各种规格的功率mosfet，包括用于电源转换和开关电路的n沟道、p沟道和互补mosfet。

本文介绍的ntbls1d5n10mc，是一款单极、n沟道的功率mosfet，支持toll封装，可输出100 v、1.53 mω、298 a的功率，具备低r_ds(on)、低总栅极电荷（q_g）和电容，具有较低的开关噪声／电磁干扰（emi），并是无铅、无卤素／无溴化阻燃剂（bfr）的器件，并且符合rohs标准，可最小化传导损耗，最大限度地减少驱动器损失，可应用于电动工具、电池供电的真空吸尘器、无人机、物料搬运、电池管理系统（bms）／存储、家庭自动化等领域，常见的最终产品包括电机控制、工业电源与太阳能逆变器等。

结语

电机驱动应用相当广泛，其中功率mosfet更扮演着重要的角色，安森美拥有种类多样的功率mosfet产品线，其中的ntbls1d5n10mc单极、n沟道的功率mosfet将能够满足相关应用的严苛需求，是电机驱动控制的最佳选择之一。